Fracción de impureza en términos reticulares de Energía Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Fracción de Impurezas = exp(-Energía requerida por impureza/([R]*La temperatura))
f = exp(-ΔE/([R]*T))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables
Constantes utilizadas
[R] - constante universal de gas Valor tomado como 8.31446261815324
Funciones utilizadas
exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)
Variables utilizadas
Fracción de Impurezas - La Fracción de Impurezas es la relación de la red cristalina ocupada por la impureza al número total. de red cristalina.
Energía requerida por impureza - (Medido en Joule) - La energía requerida por impureza es E es la energía requerida para la ocupación de una impureza en la red cristalina.
La temperatura - (Medido en Kelvin) - La temperatura es el grado o intensidad de calor presente en una sustancia u objeto.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Energía requerida por impureza: 500 Joule --> 500 Joule No se requiere conversión
La temperatura: 85 Kelvin --> 85 Kelvin No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
f = exp(-ΔE/([R]*T)) --> exp(-500/([R]*85))
Evaluar ... ...
f = 0.492882514112385
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.492882514112385 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.492882514112385 0.492883 <-- Fracción de Impurezas
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Prerana Bakli
Universidad de Hawái en Mānoa (UH Manoa), Hawái, Estados Unidos
¡Prerana Bakli ha creado esta calculadora y 800+ más calculadoras!
Verificada por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
¡Akshada Kulkarni ha verificado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

24 Enrejado Calculadoras

Índice de Miller a lo largo del eje X utilizando índices de Weiss
Vamos Índice de Miller a lo largo del eje x = lcm(Índice de Weiss a lo largo del eje x,Índice de Weiss a lo largo del eje y,Índice de Weiss a lo largo del eje z)/Índice de Weiss a lo largo del eje x
Índice de Miller a lo largo del eje Y utilizando índices de Weiss
Vamos Índice de Miller a lo largo del eje y = lcm(Índice de Weiss a lo largo del eje x,Índice de Weiss a lo largo del eje y,Índice de Weiss a lo largo del eje z)/Índice de Weiss a lo largo del eje y
Índice de Miller a lo largo del eje Z utilizando índices de Weiss
Vamos Índice de Miller a lo largo del eje z = lcm(Índice de Weiss a lo largo del eje x,Índice de Weiss a lo largo del eje y,Índice de Weiss a lo largo del eje z)/Índice de Weiss a lo largo del eje z
Longitud del borde usando la distancia interplanar de cristal cúbico
Vamos Longitud de borde = Espaciado interplanar*sqrt((Índice de Miller a lo largo del eje x^2)+(Índice de Miller a lo largo del eje y^2)+(Índice de Miller a lo largo del eje z^2))
Fracción de impureza en términos reticulares de Energía
Vamos Fracción de Impurezas = exp(-Energía requerida por impureza/([R]*La temperatura))
Fracción de Vacancia en términos reticulares de Energía
Vamos Fracción de vacante = exp(-Energía Requerida por Vacante/([R]*La temperatura))
Energía por impureza
Vamos Energía requerida por impureza = -ln(Fracción de Impurezas)*[R]*La temperatura
Energía por vacante
Vamos Energía Requerida por Vacante = -ln(Fracción de vacante)*[R]*La temperatura
Eficiencia de empaque
Vamos Eficiencia de embalaje = (Volumen ocupado por esferas en celda unitaria/Volumen total de la celda unitaria)*100
Índice de Weiss a lo largo del eje X utilizando índices de Miller
Vamos Índice de Weiss a lo largo del eje x = MCM de índices de Weiss/Índice de Miller a lo largo del eje x
Índice de Weiss a lo largo del eje Y utilizando índices de Miller
Vamos Índice de Weiss a lo largo del eje y = MCM de índices de Weiss/Índice de Miller a lo largo del eje y
Índice de Weiss a lo largo del eje Z utilizando índices de Miller
Vamos Índice de Weiss a lo largo del eje z = MCM de índices de Weiss/Índice de Miller a lo largo del eje z
Número de celosías que contienen impurezas
Vamos No. de celosía ocupada por impurezas = Fracción de Impurezas*No total de puntos de celosía
Fracción de impureza en celosía
Vamos Fracción de Impurezas = No. de celosía ocupada por impurezas/No total de puntos de celosía
Fracción de vacante en celosía
Vamos Fracción de vacante = Número de celosía vacante/No total de puntos de celosía
Número de celosía vacante
Vamos Número de celosía vacante = Fracción de vacante*No total de puntos de celosía
Radio de partícula constituyente en celosía BCC
Vamos Radio de partícula constituyente = 3*sqrt(3)*Longitud de borde/4
Longitud del borde de la celda unitaria centrada en el cuerpo
Vamos Longitud de borde = 4*Radio de partícula constituyente/sqrt(3)
Longitud del borde de la celda unitaria centrada en la cara
Vamos Longitud de borde = 2*sqrt(2)*Radio de partícula constituyente
Relación de radio
Vamos Relación de radio = Radio de catión/Radio de anión
Número de huecos tetraédricos
Vamos Número de vacíos tetraédricos = 2*Número de esferas empaquetadas cerradas
Radio de partícula constituyente en celosía FCC
Vamos Radio de partícula constituyente = Longitud de borde/2.83
Radio de la partícula constituyente en celda unitaria cúbica simple
Vamos Radio de partícula constituyente = Longitud de borde/2
Longitud del borde de la celda unitaria cúbica simple
Vamos Longitud de borde = 2*Radio de partícula constituyente

Fracción de impureza en términos reticulares de Energía Fórmula

Fracción de Impurezas = exp(-Energía requerida por impureza/([R]*La temperatura))
f = exp(-ΔE/([R]*T))

¿Qué son los defectos en el cristal?

La disposición de los átomos en todos los materiales contiene imperfecciones que tienen un efecto profundo en el comportamiento de los materiales. Los defectos de celosía se pueden clasificar en tres: 1. Defectos puntuales (vacantes, defectos intersticiales, defectos de sustitución) 2. Defecto de línea (dislocación del tornillo, dislocación del borde) 3. Defectos superficiales (superficie del material, límites de grano)

¿Por qué los defectos son importantes?

Hay muchas propiedades que están controladas o afectadas por defectos, por ejemplo: 1. Conductividad eléctrica y térmica en metales (fuertemente reducida por defectos puntuales). 2. Conductividad electrónica en semiconductores (controlada por defectos de sustitución). 3. Difusión (controlada por vacantes). 4. Conductividad iónica (controlada por vacantes). 5. Deformación plástica en materiales cristalinos (controlada por dislocación). 6. Colores (afectados por defectos). 7. Resistencia mecánica (depende en gran medida de los defectos).

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!