Potenziale integrato Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili
Funzioni utilizzate
ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)
Variabili utilizzate
Potenziale incorporato - (Misurato in Volt) - Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.
Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.
Concentrazione elettronica intrinseca - La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione termica: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1100 1 per metro cubo --> 1100 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dei donatori: 190000000000000 1 per metro cubo --> 190000000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione elettronica intrinseca: 17 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))
Valutare ... ...
ψo = 18.8180761773197
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
18.8180761773197 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
18.8180761773197 18.81808 Volt <-- Potenziale incorporato
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

24 Caratteristiche del progetto CMOS Calcolatrici

Capacità da terra ad aggressione
Partire Capacità adiacente = ((Autista vittima*Rapporto costante di tempo*Capacità di terra)-(Conducente dell'aggressione*Capacità di terra A))/(Conducente dell'aggressione-Autista vittima*Rapporto costante di tempo)
Victim Driver
Partire Autista vittima = (Conducente dell'aggressione*(Capacità di terra A+Capacità adiacente))/(Rapporto costante di tempo*(Capacità adiacente+Capacità di terra))
Driver di aggressione
Partire Conducente dell'aggressione = (Autista vittima*Rapporto costante di tempo*(Capacità adiacente+Capacità di terra))/(Capacità di terra A+Capacità adiacente)
Tensione termica del CMOS
Partire Tensione termica = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
Potenziale integrato
Partire Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
Capacità adiacente
Partire Capacità adiacente = (Tensione della vittima*Capacità di terra)/ (Tensione dell'aggressore-Tensione della vittima)
Voltaggio Agressor
Partire Tensione dell'aggressore = (Tensione della vittima*(Capacità di terra+Capacità adiacente))/Capacità adiacente
Voltaggio della vittima
Partire Tensione della vittima = (Tensione dell'aggressore*Capacità adiacente)/(Capacità di terra+Capacità adiacente)
Sforzo di ramificazione
Partire Sforzo di ramificazione = (Capacità sul percorso+Capacità fuori percorso)/Capacità sul percorso
Fase di clock in uscita
Partire Fase del clock di uscita = 2*pi*Tensione di controllo VCO*Guadagno VCO
Costante di tempo di aggressione
Partire Costante temporale dell'aggressione = Rapporto costante di tempo*Costante temporale della vittima
Costante di tempo della vittima
Partire Costante temporale della vittima = Costante temporale dell'aggressione/Rapporto costante di tempo
Costante di tempo Rapporto di aggressione alla vittima
Partire Rapporto costante di tempo = Costante temporale dell'aggressione/Costante temporale della vittima
Modifica della frequenza dell'orologio
Partire Modifica della frequenza dell'orologio = Guadagno VCO*Tensione di controllo VCO
Fattore di guadagno singolo VCO
Partire Guadagno VCO = Modifica della frequenza dell'orologio/Tensione di controllo VCO
Capacità sul percorso
Partire Capacità sul percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità fuori percorso
Capacità fuori percorso del CMOS
Partire Capacità fuori percorso = Capacità sul percorso*(Sforzo di ramificazione-1)
Capacità totale vista per stadio
Partire Capacità totale nello stadio = Capacità sul percorso+Capacità fuori percorso
Capacità fuori percorso
Partire Capacità fuori percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità sul percorso
Tensione di controllo VCO
Partire Tensione di controllo VCO = Bloccare la tensione+Tensione di offset del VCO
Tensione di offset VCO
Partire Tensione di offset del VCO = Tensione di controllo VCO-Bloccare la tensione
Tensione di blocco
Partire Bloccare la tensione = Tensione di controllo VCO-Tensione di offset del VCO
Corrente statica
Partire Corrente statica = Potenza statica/Tensione del collettore di base
Dissipazione statica di potenza
Partire Potenza statica = Corrente statica*Tensione del collettore di base

Potenziale integrato Formula

Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))

Su quale principio funziona il modello di capacità di diffusione MOS?

Un transistor MOS può essere visto come un dispositivo a quattro terminali con capacità tra ciascuna coppia di terminali. La capacità di gate include una componente intrinseca (al corpo, source e drain, o da sola sorgente, a seconda del regime operativo) e si sovrappongono termini con source e drain. La sorgente e lo scarico hanno capacità di diffusione parassitaria al corpo.

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