Ingebouwd potentieel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen
Functies die worden gebruikt
ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)
Variabelen gebruikt
Ingebouwd potentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwd potentieel is potentieel binnen de MOSFET.
Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in de acceptortoestand.
Donorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donorstaat.
Intrinsieke elektronenconcentratie - Intrinsieke elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Thermische spanning: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1100 1 per kubieke meter --> 1100 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Donorconcentratie: 190000000000000 1 per kubieke meter --> 190000000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke elektronenconcentratie: 17 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))
Evalueren ... ...
ψo = 18.8180761773197
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
18.8180761773197 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
18.8180761773197 18.81808 Volt <-- Ingebouwd potentieel
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

24 CMOS-ontwerpkenmerken Rekenmachines

Ground to Agression Capaciteit
Gaan Aangrenzende capaciteit = ((Slachtoffer chauffeur*Tijdconstante verhouding*Grondcapaciteit)-(Agressie-driver*Aard A-capaciteit))/(Agressie-driver-Slachtoffer chauffeur*Tijdconstante verhouding)
Slachtofferbestuurder
Gaan Slachtoffer chauffeur = (Agressie-driver*(Aard A-capaciteit+Aangrenzende capaciteit))/(Tijdconstante verhouding*(Aangrenzende capaciteit+Grondcapaciteit))
Agressie Driver
Gaan Agressie-driver = (Slachtoffer chauffeur*Tijdconstante verhouding*(Aangrenzende capaciteit+Grondcapaciteit))/(Aard A-capaciteit+Aangrenzende capaciteit)
Thermische spanning van CMOS
Gaan Thermische spanning = Ingebouwd potentieel/ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
Ingebouwd potentieel
Gaan Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
Agressor-spanning
Gaan Agressieve spanning = (Slachtofferspanning*(Grondcapaciteit+Aangrenzende capaciteit))/Aangrenzende capaciteit
Slachtoffervoltage
Gaan Slachtofferspanning = (Agressieve spanning*Aangrenzende capaciteit)/(Grondcapaciteit+Aangrenzende capaciteit)
aangrenzende capaciteit
Gaan Aangrenzende capaciteit = (Slachtofferspanning*Grondcapaciteit)/ (Agressieve spanning-Slachtofferspanning)
Vertakkende inspanning
Gaan Vertakkingsinspanning = (Capaciteit op pad+Capaciteit buiten pad)/Capaciteit op pad
Uitgang klokfase
Gaan Uitgangsklokfase = 2*pi*VCO-stuurspanning*VCO-winst
Slachtoffer Tijdconstante
Gaan Slachtoffertijdconstante = Tijdconstante van agressie/Tijdconstante verhouding
Agressie Tijdconstante
Gaan Tijdconstante van agressie = Tijdconstante verhouding*Slachtoffertijdconstante
Tijdconstante verhouding tussen agressie en slachtoffer
Gaan Tijdconstante verhouding = Tijdconstante van agressie/Slachtoffertijdconstante
Off-path-capaciteit van CMOS
Gaan Capaciteit buiten pad = Capaciteit op pad*(Vertakkingsinspanning-1)
Capaciteit Onpath
Gaan Capaciteit op pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit buiten pad
Totale capaciteit gezien per fase
Gaan Totale capaciteit in fase = Capaciteit op pad+Capaciteit buiten pad
Verandering in frequentieklok
Gaan Verandering in frequentie van de klok = VCO-winst*VCO-stuurspanning
VCO enkele versterkingsfactor
Gaan VCO-winst = Verandering in frequentie van de klok/VCO-stuurspanning
Capaciteit Offpath
Gaan Capaciteit buiten pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit op pad
Statische stroom
Gaan Statische stroom = Statische kracht/Basiscollectorspanning
Statische vermogensdissipatie
Gaan Statische kracht = Statische stroom*Basiscollectorspanning
Vergrendel spanning
Gaan Vergrendel spanning = VCO-stuurspanning-VCO-offsetspanning
VCO-offset-spanning
Gaan VCO-offsetspanning = VCO-stuurspanning-Vergrendel spanning
VCO-stuurspanning
Gaan VCO-stuurspanning = Vergrendel spanning+VCO-offsetspanning

Ingebouwd potentieel Formule

Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))

Op welk principe werkt het MOS-diffusiecapaciteitsmodel?

Een MOS-transistor kan worden gezien als een apparaat met vier aansluitingen met capaciteiten tussen elk paar aansluitingen. De poortcapaciteit omvat een intrinsieke component (naar het lichaam, bron en afvoer, of alleen bron, afhankelijk van het bedrijfsregime) en overlappende termen met de bron en afvoer. De source en drain hebben parasitaire diffusiecapaciteit naar het lichaam.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!